硅为元素表中Ⅳ族原素。在地球内部中关键以二氧化硅和铝硅酸盐方式存有。丰度为27.7%,仅次氧。硅的原子量为28.05,25℃下相对密度为2.329g/cm3,具备深灰色金属质感,较脆,强度6.5Cohs,稍小于方解石。溶点1410℃,在溶点时容积缩水率9.5%。常温状态硅表层遮盖一层特薄空气氧化层,物理性质不开朗。高溫下与氧反映转化成不定形二氧化硅层,在元器件加工工艺中常见半作掩蔽层和隔离层。硅不溶解酸,但溶解HNO3。和HF的混和水溶液中,常见这类水溶液作浸蚀液。硅稍溶解升温的碱溶液中,还可选用低温等离子浸蚀技术性来浸蚀硅。
结晶体态光伏材料的制取方式一般是先将硅石(SiO2)在加热炉中高溫复原为冶金工业级硅(纯净度95%~99%),随后将其变成硅的卤化物或氢化物,经纯化,以制取纯净度很高的硅多晶。包含硅多晶的西门子PLC法制取、硅多晶的硅烷法制取。在生产制造大部分集成电路工艺时,用的光伏材料并不是硅多晶硅片回收,只是高一致性的硅单晶。一般用直拉法或区熔法由硅多晶制取硅单晶。
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